Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films

Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Becerril-Silva, M.
Kolejni autorzy: Meléndez-Lira, M., O., Zelaya-Angelb, Farias, Rurik
Format: Artículo
Język:en_US
Wydane: Elsevier 2018
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!