Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films

We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hexag...

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ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Perez, Israel
अन्य लेखक: Sosa, Victor, Gamboa, Fidel, Elizalde Galindo, Jose Trinidad, Mani Gonzalez, Pierre Giovanni, Farias, Rurik, Enriquez Carrejo, Jose Luis
स्वरूप: Artículo
भाषा:en_US
प्रकाशित: 2018
विषय:
XPS
ऑनलाइन पहुंच:https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9
https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9
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