Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe:Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | , , |
| פורמט: | Artículo |
| שפה: | en_US |
| יצא לאור: |
2018
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2017.09.011 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!