Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Artículo |
| Kieli: | English |
| Julkaistu: |
2018
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Lisää ensimmäinen kommentti!