Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artículo |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!