Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | , , |
| التنسيق: | Artículo |
| اللغة: | en_US |
| منشور في: |
Elsevier
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
