Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , |
| Aineistotyyppi: | Artículo |
| Kieli: | en_US |
| Julkaistu: |
Elsevier
2018
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Lisää ensimmäinen kommentti!