Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films

Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Becerril-Silva, M.
অন্যান্য লেখক: Meléndez-Lira, M., O., Zelaya-Angelb, Farias, Rurik
বিন্যাস: Artículo
ভাষা:en_US
প্রকাশিত: Elsevier 2018
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!
আপনি আগে লগইন করুন