Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach
The electronic structure and thermoelectric properties of MoX2 (X = S, Se) Van der Waals heterojunctions are reported, with the intention of motivating the design of electronic devices using such materials. Calculations indicate the proposed heterojunctions are thermodynamically stable and present a...
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | López-Galán, Óscar, Perez, Israel, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John |
---|---|
Định dạng: | Artículo |
Ngôn ngữ: | en_US |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1002/admi.202202339 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202202339 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
On the Electronic Structure of 2H-MoS2: Correlating DFT Calculations and In-Situ Mechanical Bending on TEM
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2022) -
Electronic states and metallic character of carbide Co/MoS2 catalytic interface
Được phát hành: (2021) -
Semimetal transition in curved MoS2/ MoSe2 Van der Waals heterojunction by dispersion‑corrected density functional theory
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2022) -
Study of indium tin oxide–MoS2 interface by atom probe tomography
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2019) -
MoS2 Thin Films for Photo-Voltaic Applications
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2019)