Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach
The electronic structure and thermoelectric properties of MoX2 (X = S, Se) Van der Waals heterojunctions are reported, with the intention of motivating the design of electronic devices using such materials. Calculations indicate the proposed heterojunctions are thermodynamically stable and present a...
שמור ב:
| מחברים אחרים: | , , , |
|---|---|
| פורמט: | Artículo |
| שפה: | en_US |
| יצא לאור: |
2023
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://doi.org/10.1002/admi.202202339 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202202339 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
