The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory
We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...
محفوظ في:
مؤلفون آخرون: | López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin |
---|---|
التنسيق: | Artículo |
اللغة: | en_US |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9 https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electronic states and metallic character of carbide Co/MoS2 catalytic interface
منشور في: (2021) -
Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach
منشور في: (2023) -
The magnetic states in cobalt‑promoted MoS2 microspheres
بواسطة: Ramos Murillo, Manuel Antonio
منشور في: (2024) -
Attributes on 2H-MoS₂ surfaces with Scanning Electron Microscopy: 7CP24-11
بواسطة: Adrián David Barrandey, وآخرون
منشور في: (2024) -
MoS2 Thin Films for Photo-Voltaic Applications
بواسطة: Ramos Murillo, Manuel Antonio
منشور في: (2019)