The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Другие авторы: López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin
Формат: Artículo
Язык:en_US
Опубликовано: 2021
Предметы:
Online-ссылка:https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9
https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Ваш комментарий будет первым!
Сначала войдите в систему