The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Beste egile batzuk: López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin
Formatua: Artículo
Hizkuntza:en_US
Argitaratua: 2021
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9
https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!

Antzeko izenburuak