Effect of ion bombardment on the chemical properties of crystalline tantalum pentoxide films
The effect of argon ion bombardment on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. All samples were irradiated for several time intervals [(0.5, 3, 6, 9) min] and the Ta...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Perez, Israel |
---|---|
Tác giả khác: | Sosa, Victor, Gamboa, Fidel, Elizalde Galindo, Jose Trinidad, Mani Gonzalez, Pierre Giovanni, Enriquez Carrejo, Jose Luis |
Định dạng: | Artículo |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2019
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037 https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
Bằng: Perez, Israel
Được phát hành: (2018) -
Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
Bằng: Perez, Israel
Được phát hành: (2018) -
Low Cost Electrochemical PGE Platform for Sensitive Determination of Pb(II) and Cd(II)
Bằng: Galicia, Monica
Được phát hành: (2023) -
Adsorción máxima de Fe y Mn en un medio acuoso mediante un compósito de Fe y FexOy con carbón activado.
Bằng: Esparza Méndez, Luis Eduardo
Được phát hành: (2023) -
Reducing The Effective Dose of Cisplatin Using Gold Nanoparticles as Carriers
Bằng: Perez, Israel
Được phát hành: (2020)