Effect of ion bombardment on the chemical properties of crystalline tantalum pentoxide films
The effect of argon ion bombardment on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. All samples were irradiated for several time intervals [(0.5, 3, 6, 9) min] and the Ta...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | , , , , |
| Định dạng: | Artículo |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2019
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037 https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!