Effect of ion bombardment on the chemical properties of crystalline tantalum pentoxide films

The effect of argon ion bombardment on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. All samples were irradiated for several time intervals [(0.5, 3, 6, 9) min] and the Ta...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Perez, Israel
مؤلفون آخرون: Sosa, Victor, Gamboa, Fidel, Elizalde Galindo, Jose Trinidad, Mani Gonzalez, Pierre Giovanni, Enriquez Carrejo, Jose Luis
التنسيق: Artículo
اللغة:English
منشور في: 2019
الموضوعات:
XPS
الوصول للمادة أونلاين:https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.037
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!