Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe:Te thin films

Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Becerril-Silva, M.
Άλλοι συγγραφείς: Meléndez-Lira, M., Zelaya-Angel, O., Farias, Rurik
Μορφή: Artículo
Γλώσσα:en_US
Έκδοση: 2018
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2017.09.011
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια